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DON639C
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IC

DFN-8(5x6)

DON639C

N+P管/40V/40A/7.5MΩ(典型6MΩ)

品牌

DOINGTER

封装

DFN-8(5x6)

交期

现货

批次

—

DON639C参数

封装DFN-8(5x6)
品牌DOINGTER(杜因特)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)38W
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
反向传输电容(Crss)151pF
类型N沟道+P沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号DON639C
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存1000
数量1个N沟道+1个P沟道
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)2.38nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)191pF
商品名称DON639C
封装DFN5x6-8D
单位个
商品重量0.0004947

DON639C概述

N+P管/40V/40A/7.5MΩ(典型6MΩ)

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