DNLS320E-13
IC
SOT-223
可供量大可议
DNLS320E-13
特性：外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电阻：在3A时， RCE(SAT) = 80mΩ。 高直流电流增益：在IC = 2A时， hF > 400。 有互补PNP类型。 适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 无铅设计/符合RoHS标准。 环保器件
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
1,598
货期
现货
DNLS320E-13参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1598 |
DNLS320E-13概述
特性：外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电阻：在3A时， RCE(SAT) = 80mΩ。 高直流电流增益：在IC = 2A时， hF > 400。 有互补PNP类型。 适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 无铅设计/符合RoHS标准。 环保器件
DNLS320E-13特性
暂无产品特性。
DNLS320E-13应用领域
暂无应用领域。