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DNBT8105-7-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DNBT8105-7-HXY

这款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极电流IC, 适用于需要中等功率处理能力的应用场景。 其最大集电极-发射极电压VCEO为60V, 确保在较高电压环境下的稳定操作。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 提供了良好的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到150MHz, 使其同样适用于要求快速响应和高频率操作的电路设计。 这些特性使它成为消费电子产品、信号放大及高速开关应用的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

50

货期

现货

DNBT8105-7-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存50

DNBT8105-7-HXY概述

这款NPN型三极管(BJT)具备1A的集电极电流IC, 适用于需要中等功率处理能力的应用场景。 其最大集电极-发射极电压VCEO为60V, 确保在较高电压环境下的稳定操作。 直流电流增益HFE范围在100至300之间, 提供了良好的放大性能。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到150MHz, 使其同样适用于要求快速响应和高频率操作的电路设计。 这些特性使它成为消费电子产品、信号放大及高速开关应用的理想选择。

DNBT8105-7-HXY特性

暂无产品特性。

DNBT8105-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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