DN3545N8-G
IC
SOT-89-3
可供量大可议
DN3545N8-G
DN3545 耗尽型常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。 作为所有 MOS 结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
品牌
MICROCHIP
封装
SOT-89-3
库存
118
货期
现货
DN3545N8-G参数
| 封装 | SOT-89-3 |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 118 |
DN3545N8-G概述
DN3545 耗尽型常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种结合造就了一种兼具双极晶体管功率处理能力以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有高输入阻抗和正温度系数特性的器件。 作为所有 MOS 结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
DN3545N8-G特性
暂无产品特性。
DN3545N8-G应用领域
暂无应用领域。