DN2625DK6-G
IC
DFN-8-EP(5x5)
可供量大可议
DN2625DK6-G
DN2625是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管， 采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力， 以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 作为所有MOS结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
品牌
MICROCHIP
封装
DFN-8-EP(5x5)
库存
15
货期
现货
DN2625DK6-G参数
| 封装 | DFN-8-EP(5x5) |
|---|---|
| 品牌 | MICROCHIP(美国微芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
DN2625DK6-G概述
DN2625是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管， 采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力， 以及金属氧化物半导体（MOS）器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 作为所有MOS结构的特性， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
DN2625DK6-G特性
暂无产品特性。
DN2625DK6-G应用领域
暂无应用领域。