DN1509K1-G

这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和成熟的硅栅制造工艺。 这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力， 以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。 所有 MOS 结构的特点是， 该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用， 这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。