DMWS120H100SM4-HXY

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET）， 具有优异的导电能力和高效的开关特性。 其额定漏极电流ID为32A， 导通电阻RDON低至75mΩ， 能够有效降低功率损耗并提升系统效率。 碳化硅材料赋予器件高击穿电压与良好的高温工作性能， 适用于高频、高压电源转换场合， 如新能源发电、储能设备及智能电力系统中的关键开关单元。