DMTH6016LK3-13-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）与50A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻仅为11mΩ（RDON）， 有效降低功率损耗并提升整体效率。 器件结构稳定， 适用于多种高要求电路环境， 如高效电源转换、负载控制、开关电路及便携式设备中的功率管理模块， 为系统提供可靠性能支持。