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DMTH6010SCT-HXY
IC

TO-220

可供量大可议

DMTH6010SCT-HXY

这款N沟道场效应管专为高效电能管理设计, 其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。 在10V栅极驱动下, 仅5.8mΩ的内阻能显著降低通路损耗, 配合80A的持续电流处理能力, 使其非常适合作为大电流负载开关, 直接替代传统机械继电器以消除触点磨损。 在电源拓扑中, 它常被用于低压侧的DC-DC升降压转换或逆变电路, 利用其快速的开关特性提升整体能效。 此外, 该器件也广泛应用于电池组的充放电保护回路, 确保在复杂负载环境下提供稳定的通断控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

24

货期

现货

DMTH6010SCT-HXY参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

DMTH6010SCT-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效电能管理设计, 其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。 在10V栅极驱动下, 仅5.8mΩ的内阻能显著降低通路损耗, 配合80A的持续电流处理能力, 使其非常适合作为大电流负载开关, 直接替代传统机械继电器以消除触点磨损。 在电源拓扑中, 它常被用于低压侧的DC-DC升降压转换或逆变电路, 利用其快速的开关特性提升整体能效。 此外, 该器件也广泛应用于电池组的充放电保护回路, 确保在复杂负载环境下提供稳定的通断控制。

DMTH6010SCT-HXY特性

暂无产品特性。

DMTH6010SCT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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