DMTH6005LPSWQ-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH6005LPSWQ-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、中低压的电力电子系统， 如开关电源、电机控制及电池供电设备中的功率开关环节， 能够在保持较低温升的同时实现高效能量转换。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
DMTH6005LPSWQ-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMTH6005LPSWQ-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、中低压的电力电子系统， 如开关电源、电机控制及电池供电设备中的功率开关环节， 能够在保持较低温升的同时实现高效能量转换。
DMTH6005LPSWQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH6005LPSWQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。