DMTH6005LPSW-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH6005LPSW-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流工作条件下仍能保持较低温升。 器件适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换、电机驱动及各类开关应用场合， 能够在频繁开关操作中维持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
DMTH6005LPSW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMTH6005LPSW-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流工作条件下仍能保持较低温升。 器件适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换、电机驱动及各类开关应用场合， 能够在频繁开关操作中维持稳定性能。
DMTH6005LPSW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH6005LPSW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。