DMTH6004SPSQ-13-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现， 漏源电压VDSS为60V， 可持续通过125A的大电流ID， 导通电阻RDON低至2.4mΩ， 有效降低功率损耗。 器件适用于高效率开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类中高功率电子设备， 在高频工作环境下仍能保持稳定性能， 满足对功率密度与能效有较高要求的应用场景。