DMTH6004SK3Q-13-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有130A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于较高功率密度的应用场景。 导通电阻（RDON）低至3mΩ， 可显著减少导通损耗， 提升整体能效。 支持最高20V栅源电压（VGS）， 确保器件在多种工作条件下稳定运行。 该MOSFET适合用于高性能电源系统、同步整流、电池管理系统及各类高效能转换电路中， 满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。