DMTH6004SK3-13-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备130A的连续漏极电流（ID）与60V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于高功率密度电路设计。 导通电阻（RDON）低至3mΩ， 有效降低导通损耗， 提高系统整体效率。 支持最高20V栅源电压（VGS）， 保障器件在复杂工况下的稳定运行。 该器件可广泛应用于高性能电源、同步整流、电池管理及高效DC-DC转换电路中， 满足对效率、可靠性要求较高的电子系统设计需求。