DMTH48M3SFVWQ-7-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现， 漏极电流ID可达60A， 漏源电压VDSS为40V， 满足中高功率应用场景需求。 导通电阻RDON低至6.9mΩ， 可显著降低导通损耗， 提升整体系统效率。 器件结构设计优化， 具备良好的热稳定性与开关特性， 适用于电源转换、电机控制、储能系统及各类高效能电子设备中的开关与调节电路。