DMTH48M3SFVW-7-HXY
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
DMTH48M3SFVW-7-HXY
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有较高的电流承载能力， 漏极连续电流ID可达60A， 漏源电压VDSS为40V， 适用于中高功率电源转换场合。 导通电阻RDON低至6.9mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于各类电源管理、开关电路及负载控制等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(3x3)
库存
15
货期
现货
DMTH48M3SFVW-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
DMTH48M3SFVW-7-HXY概述
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有较高的电流承载能力， 漏极连续电流ID可达60A， 漏源电压VDSS为40V， 适用于中高功率电源转换场合。 导通电阻RDON低至6.9mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 该器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于各类电源管理、开关电路及负载控制等应用场景。
DMTH48M3SFVW-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH48M3SFVW-7-HXY应用领域
暂无应用领域。