DMTH47M2LFVW-7-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的漏极电流ID和40V的漏源电压VDSS， 适用于多种中高功率电路设计。 导通电阻RDON仅为6.9mΩ， 有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统整体效率。 器件具备良好的热稳定性和耐用性， 适合用于电源管理、DC-DC转换、电机驱动、储能设备以及其他对效率与可靠性有要求的电子电路应用场合。