DMTH43M8LPSQ-13-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的漏极电流ID和40V的漏源击穿电压VDSS， 导通电阻RDON仅为2.8mΩ， 表现出优异的导电性能与较低的功率损耗。 该器件适用于高效率、大电流的开关应用， 如电源转换模块、电池充放电管理、高性能计算设备供电系统以及各类便携式大功率电子装置中的电力控制环节。 其低导通电阻特性有助于提升能效并改善热管理表现。