DMTH4014LFVWQ-7
IC
PowerDI3333-8
可供RoHS量大可议
DMTH4014LFVWQ-7
适用于高温环境的N沟道增强型MOSFET， 低导通电阻， 可光学检测， 无铅且符合RoHS标准， 适用于汽车应用
品牌
DIODES
封装
PowerDI3333-8
库存
25
货期
现货
DMTH4014LFVWQ-7参数
| 封装 | PowerDI3333-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 57.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF |
| 配置 | 独立式 |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
| 商品名称 | 适用于高温环境的N沟道增强型MOSFET， 低导通电阻， 可光学检测， 无铅且符合RoHS标准， 适用于汽车应用 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 750pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | DMTH4014LFVWQ-7 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.7e-05 |
DMTH4014LFVWQ-7概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。 它符合AEC-Q101标准, 有生产件批准程序(PPAP)支持, 非常适合用于以下场景: - 背光照明 - 电源管理功能 - 直流-直流转换器
DMTH4014LFVWQ-7特性
- 额定温度达+175°C, 适用于高环境温度环境
- 低导通电阻RDS(ON), 确保导通状态损耗最小化
- 具有出色的栅极电荷Qgd与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 可焊侧翼设计, 便于光学检测
- 在生产过程中进行100%非钳位感性开关(UIS)测试, 确保最终应用更可靠、更耐用
- 完全无铅, 完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑, 是“绿色”器件
DMTH4014LFVWQ-7应用领域
- 背光照明-电源管理功能-直流-直流转换器