DMTH4007SPDQ-13-HXY

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道设计， 具备优异的导通性能与高效能特性。 其漏极电流ID可达40A， 漏源电压VDSS为40V， 适用于中高功率应用场景。 导通电阻RDON低至6.9mΩ， 有效降低导通损耗并提升系统效率。 该器件适用于电源管理、开关电路及负载控制等多样化电子设备需求， 提供稳定可靠的电气性能表现。