DMTH32M5LPS-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH32M5LPS-13-HXY
该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。 其超低导通电阻显著降低导通损耗， 在大电流工作条件下仍能维持较低温升。 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具及各类需要高功率密度与快速开关响应的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
DMTH32M5LPS-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMTH32M5LPS-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。 其超低导通电阻显著降低导通损耗， 在大电流工作条件下仍能维持较低温升。 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具及各类需要高功率密度与快速开关响应的电子设备中。
DMTH32M5LPS-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH32M5LPS-13-HXY应用领域
暂无应用领域。