DMTH3004LFGQ-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMTH3004LFGQ-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效抑制功率损耗， 提升系统效率， 并改善热管理表现。 适用于高效率电源模块、电机驱动电路、电池供电设备以及对开关性能和能效有较高要求的电子系统中。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-8L(3x3)
Stock
98
货期
现货
DMTH3004LFGQ-13-HXYParameters
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMTH3004LFGQ-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效抑制功率损耗， 提升系统效率， 并改善热管理表现。 适用于高效率电源模块、电机驱动电路、电池供电设备以及对开关性能和能效有较高要求的电子系统中。
DMTH3004LFGQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH3004LFGQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。