DMTH3004LFG-7-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMTH3004LFG-7-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景， 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统整体能效。 在高频率开关操作中， 该MOSFET可维持较低的温升， 适合用于紧凑型电源模块、便携式设备供电系统以及各类需要高效能量转换的电子装置中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
DMTH3004LFG-7-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMTH3004LFG-7-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景， 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统整体能效。 在高频率开关操作中， 该MOSFET可维持较低的温升， 适合用于紧凑型电源模块、便携式设备供电系统以及各类需要高效能量转换的电子装置中。
DMTH3004LFG-7-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH3004LFG-7-HXY应用领域
暂无应用领域。