库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
DMTH3002LK3-13-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DMTH3002LK3-13-HXY

该N沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与20V栅源电压耐受能力。 其核心特性在于低至1.5毫欧的导通电阻, 支持高达150A的连续漏极电流, 显著降低传导损耗。 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路, 能够在高负载条件下实现高效电能控制与快速响应, 确保系统运行的稳定性与能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

DMTH3002LK3-13-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

DMTH3002LK3-13-HXY概述

该N沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与20V栅源电压耐受能力。 其核心特性在于低至1.5毫欧的导通电阻, 支持高达150A的连续漏极电流, 显著降低传导损耗。 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路, 能够在高负载条件下实现高效电能控制与快速响应, 确保系统运行的稳定性与能效表现。

DMTH3002LK3-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMTH3002LK3-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件