DMTH3002LK3-13-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DMTH3002LK3-13-HXY
该N沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与20V栅源电压耐受能力。 其核心特性在于低至1.5毫欧的导通电阻, 支持高达150A的连续漏极电流, 显著降低传导损耗。 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路, 能够在高负载条件下实现高效电能控制与快速响应, 确保系统运行的稳定性与能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
DMTH3002LK3-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DMTH3002LK3-13-HXY概述
该N沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与20V栅源电压耐受能力。 其核心特性在于低至1.5毫欧的导通电阻, 支持高达150A的连续漏极电流, 显著降低传导损耗。 器件适用于大电流开关场景, 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路, 能够在高负载条件下实现高效电能控制与快速响应, 确保系统运行的稳定性与能效表现。
DMTH3002LK3-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH3002LK3-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
