DMTH10H4M6SPS-13
IC
PowerDI5060-8
可供量大可议
DMTH10H4M6SPS-13
新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化导通电阻， 同时保持卓越的开关性能。 该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
品牌
DIODES
封装
PowerDI5060-8
库存
2
货期
现货
DMTH10H4M6SPS-13参数
| 封装 | PowerDI5060-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 136W； 2.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 4.327nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品型号 | DMTH10H4M6SPS-13 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000177148 |
DMTH10H4M6SPS-13概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大程度降低RDS(ON), 同时保持卓越的开关性能。 该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
DMTH10H4M6SPS-13特性
- 额定温度达 +175℃—— 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)—— 最大程度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑。 “绿色”器件
DMTH10H4M6SPS-13应用领域
- 笔记本电脑电池电源管理-负载开关-电机控制-DC-DC转换器-电源管理