DMTH10H4M5LPS-13-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换及功率管理场景。 器件结构支持快速开关操作， 在高频工作条件下仍能保持较低的功率损耗， 适合用于各类高密度、高效率的电子系统中。