DMTH10H025SK3-13-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）仅为20毫欧， 适用于高效率功率开关设计。 器件采用优化的晶圆结构， 提升了开关速度与热稳定性， 可广泛用于电源适配器、电池管理系统、智能家电及通信设备中的功率控制电路， 满足对能效与可靠性要求较高的应用场景。