DMTH10H010LPSW-13-HXY

该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为100V， 在栅源电压为20V时导通电阻低至7.3毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景。 器件采用标准封装形式， 便于在高电流应用中实现稳定可靠的电气连接与散热管理。