DMTH10H009SPSWQ-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH10H009SPSWQ-13-HXY
该N沟道MOSFET具备75A的漏极电流（ID）和100V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧， 在栅源电压（VGS）达20V时可实现高效开关操作。 其低导通损耗与高电流处理能力， 使其适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源系统及各类中高功率电子设备中的开关与功率转换环节， 有助于提升整体电路的能效表现与热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
DMTH10H009SPSWQ-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMTH10H009SPSWQ-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具备75A的漏极电流（ID）和100V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧， 在栅源电压（VGS）达20V时可实现高效开关操作。 其低导通损耗与高电流处理能力， 使其适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源系统及各类中高功率电子设备中的开关与功率转换环节， 有助于提升整体电路的能效表现与热稳定性。
DMTH10H009SPSWQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH10H009SPSWQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。