DMTH10H009SPSW-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH10H009SPSW-13-HXY
该N沟道MOSFET具备100V的漏源电压（VDSS）额定值， 最大连续漏极电流（ID）达75A， 在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）仅为7.3毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及开关转换等电路拓扑中， 其电气特性支持快速开关动作与稳定工作性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
DMTH10H009SPSW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
DMTH10H009SPSW-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具备100V的漏源电压（VDSS）额定值， 最大连续漏极电流（ID）达75A， 在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）仅为7.3毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及开关转换等电路拓扑中， 其电气特性支持快速开关动作与稳定工作性能。
DMTH10H009SPSW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH10H009SPSW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。