DMTH10H009SPSQ-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH10H009SPSQ-13-HXY
该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧， 在栅源电压（VGS）达20V时可确保充分导通。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关电路等场合。 器件在高频操作下仍能保持良好的热稳定性和开关性能， 适合对功率密度和能效有较高要求的应用环境。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
198
货期
现货
DMTH10H009SPSQ-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 198 |
DMTH10H009SPSQ-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧， 在栅源电压（VGS）达20V时可确保充分导通。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关电路等场合。 器件在高频操作下仍能保持良好的热稳定性和开关性能， 适合对功率密度和能效有较高要求的应用环境。
DMTH10H009SPSQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH10H009SPSQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。