DMTH10H009SPS-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH10H009SPS-13-HXY
该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为100V， 最大连续漏极电流（ID）达75A， 在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 适用于高效率电源转换、电机驱动及高频开关等电路应用。 器件在大电流条件下仍能保持良好的热稳定性和开关特性， 适合对功率密度和能效有较高要求的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
DMTH10H009SPS-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMTH10H009SPS-13-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为100V， 最大连续漏极电流（ID）达75A， 在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 适用于高效率电源转换、电机驱动及高频开关等电路应用。 器件在大电流条件下仍能保持良好的热稳定性和开关特性， 适合对功率密度和能效有较高要求的电子系统。
DMTH10H009SPS-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH10H009SPS-13-HXY应用领域
暂无应用领域。