DMTH10H009LPSWQ-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH10H009LPSWQ-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 凭借优异的导通特性和高电流承载能力， 适用于高效率电源转换、电机驱动、服务器电源及各类中高功率电子系统中的开关应用， 有助于降低导通损耗并提升整体能效与热管理性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
DMTH10H009LPSWQ-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMTH10H009LPSWQ-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 凭借优异的导通特性和高电流承载能力， 适用于高效率电源转换、电机驱动、服务器电源及各类中高功率电子系统中的开关应用， 有助于降低导通损耗并提升整体能效与热管理性能。
DMTH10H009LPSWQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH10H009LPSWQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。