DMTH10H009LPSQ-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMTH10H009LPSQ-13-HXY
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 在高电流工作条件下， 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 提升整体能效。 适用于高功率密度的电源转换、电机驱动以及大电流开关等应用场合。 器件结构支持良好的热性能与开关特性， 适合在高频或持续高负载环境中稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
DMTH10H009LPSQ-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
DMTH10H009LPSQ-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。 在高电流工作条件下， 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 提升整体能效。 适用于高功率密度的电源转换、电机驱动以及大电流开关等应用场合。 器件结构支持良好的热性能与开关特性， 适合在高频或持续高负载环境中稳定运行。
DMTH10H009LPSQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH10H009LPSQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。