DMTH10H009LPS-13-HXY

该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为100V， 导通电阻仅为6.4毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高效率电源转换、电机驱动以及高频开关电路等场合， 在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关性能， 满足对紧凑布局和高功率密度有要求的电子系统设计需求。