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DMTH10H005SCT-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

DMTH10H005SCT-HXY

该N沟道场效应管具有100V漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻典型值为4.1mΩ, 在高电流工作条件下可有效降低导通损耗, 减少发热。 其低RDON与高电流承载能力使其适用于对效率和热性能要求较高的开关电源系统。 广泛用于大功率DC-DC转换器、高性能电源模块、电池管理系统及电机驱动电路, 有助于提升系统能效与功率密度, 是实现高效电能转换与控制的关键功率器件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

37

货期

现货

DMTH10H005SCT-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存37

DMTH10H005SCT-HXY概述

该N沟道场效应管具有100V漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻典型值为4.1mΩ, 在高电流工作条件下可有效降低导通损耗, 减少发热。 其低RDON与高电流承载能力使其适用于对效率和热性能要求较高的开关电源系统。 广泛用于大功率DC-DC转换器、高性能电源模块、电池管理系统及电机驱动电路, 有助于提升系统能效与功率密度, 是实现高效电能转换与控制的关键功率器件。

DMTH10H005SCT-HXY特性

暂无产品特性。

DMTH10H005SCT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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