DMTH10H005LCT-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
DMTH10H005LCT-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在大电流工作条件下维持较低温升。 器件适用于高效率电源系统、电机控制及各类需要频繁开关操作的电力电子应用， 能够支持高功率密度设计并提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
37
货期
现货
DMTH10H005LCT-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
DMTH10H005LCT-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在大电流工作条件下维持较低温升。 器件适用于高效率电源系统、电机控制及各类需要频繁开关操作的电力电子应用， 能够支持高功率密度设计并提升整体能效表现。
DMTH10H005LCT-HXY特性
暂无产品特性。
DMTH10H005LCT-HXY应用领域
暂无应用领域。