DMT67M8LPSW-13-HXY

该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流， 最大漏源电压为60V， 导通电阻仅为3.7毫欧， 具备优异的导通性能。 低导通电阻有效降低功率损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制及开关电源等应用。 器件在高频开关条件下仍能保持稳定的电气特性， 适合对热管理和动态响应有较高要求的电子系统。