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DMT64M8LCG-7-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

DMT64M8LCG-7-HXY

这款N沟道场效应管专为高功率密度设计, 其60V耐压值在低压供电系统中提供了充裕的安全余量。 核心优势在于极低的4mΩ导通电阻, 配合100A的持续电流处理能力, 能有效抑制大电流下的热损耗。 这种低阻抗特性使其非常适合作为DC-DC转换器的主开关管, 或是用于电池保护板及电机驱动回路中, 确保在频繁切换的高负载工况下维持系统的高效与稳定。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

DMT64M8LCG-7-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

DMT64M8LCG-7-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高功率密度设计, 其60V耐压值在低压供电系统中提供了充裕的安全余量。 核心优势在于极低的4mΩ导通电阻, 配合100A的持续电流处理能力, 能有效抑制大电流下的热损耗。 这种低阻抗特性使其非常适合作为DC-DC转换器的主开关管, 或是用于电池保护板及电机驱动回路中, 确保在频繁切换的高负载工况下维持系统的高效与稳定。

DMT64M8LCG-7-HXY特性

暂无产品特性。

DMT64M8LCG-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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