DMT64M8LCG-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT64M8LCG-13-HXY
这款N沟道场效应管采用先进的沟槽栅技术, 在60V耐压等级下实现了优异的导通性能, 其导通电阻仅为4mΩ。 该器件能够承载100A的连续漏极电流, 极低的热损耗特性使其在紧凑的PCB布局中也能保持良好的热稳定性。 凭借其低栅极电荷和快速的开关速度, 它非常适合应用于高频DC-DC转换器、同步整流电路以及各类便携式设备的电源管理模块, 能够有效提升系统的整体功率密度与转换效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
DMT64M8LCG-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
DMT64M8LCG-13-HXY概述
这款N沟道场效应管采用先进的沟槽栅技术, 在60V耐压等级下实现了优异的导通性能, 其导通电阻仅为4mΩ。 该器件能够承载100A的连续漏极电流, 极低的热损耗特性使其在紧凑的PCB布局中也能保持良好的热稳定性。 凭借其低栅极电荷和快速的开关速度, 它非常适合应用于高频DC-DC转换器、同步整流电路以及各类便携式设备的电源管理模块, 能够有效提升系统的整体功率密度与转换效率。
DMT64M8LCG-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT64M8LCG-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
