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DMT64M8LCG-13-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

DMT64M8LCG-13-HXY

这款N沟道场效应管采用先进的沟槽栅技术, 在60V耐压等级下实现了优异的导通性能, 其导通电阻仅为4mΩ。 该器件能够承载100A的连续漏极电流, 极低的热损耗特性使其在紧凑的PCB布局中也能保持良好的热稳定性。 凭借其低栅极电荷和快速的开关速度, 它非常适合应用于高频DC-DC转换器、同步整流电路以及各类便携式设备的电源管理模块, 能够有效提升系统的整体功率密度与转换效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

DMT64M8LCG-13-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

DMT64M8LCG-13-HXY概述

这款N沟道场效应管采用先进的沟槽栅技术, 在60V耐压等级下实现了优异的导通性能, 其导通电阻仅为4mΩ。 该器件能够承载100A的连续漏极电流, 极低的热损耗特性使其在紧凑的PCB布局中也能保持良好的热稳定性。 凭借其低栅极电荷和快速的开关速度, 它非常适合应用于高频DC-DC转换器、同步整流电路以及各类便携式设备的电源管理模块, 能够有效提升系统的整体功率密度与转换效率。

DMT64M8LCG-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMT64M8LCG-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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