DMT6007LFG-7-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
DMT6007LFG-7-VB
台积电流片， 长电科技封装； QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 60V； 30A, RDS(ON)=5mΩ@10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款采用Trench技术技术高性能单N沟道MOSFET， 适用于电源管理、电动汽车等领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
1
货期
现货
DMT6007LFG-7-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
DMT6007LFG-7-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 60V； 30A, RDS(ON)=5mΩ@10V, VGS=20V； Vth=1~3V； 是一款采用Trench技术技术高性能单N沟道MOSFET， 适用于电源管理、电动汽车等领域和模块。
DMT6007LFG-7-VB特性
暂无产品特性。
DMT6007LFG-7-VB应用领域
暂无应用领域。