DMT6005LPSW-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMT6005LPSW-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。 凭借极低的导通阻抗， 器件在大电流工作条件下可显著减少功率损耗， 提升系统效率。 适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、电池充放电管理以及对热性能和能效要求严苛的电力电子应用。 其结构支持良好的散热能力和稳定运行特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
32
货期
现货
DMT6005LPSW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 32 |
DMT6005LPSW-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。 凭借极低的导通阻抗， 器件在大电流工作条件下可显著减少功率损耗， 提升系统效率。 适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、电池充放电管理以及对热性能和能效要求严苛的电力电子应用。 其结构支持良好的散热能力和稳定运行特性。
DMT6005LPSW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT6005LPSW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。