DMT6005LPS-13-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DMT6005LPS-13-HXY
该N沟道场效应管具备60V的漏源电压(VDSS)和高达100A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至3.7mΩ。 优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于高功率密度的电源转换应用, 如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。 其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色, 适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
216
货期
现货
DMT6005LPS-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 216 |
DMT6005LPS-13-HXY概述
该N沟道场效应管具备60V的漏源电压(VDSS)和高达100A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至3.7mΩ。 优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于高功率密度的电源转换应用, 如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。 其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色, 适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。
DMT6005LPS-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT6005LPS-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
