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DMT6005LPS-13-HXY
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

DMT6005LPS-13-HXY

该N沟道场效应管具备60V的漏源电压(VDSS)和高达100A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至3.7mΩ。 优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于高功率密度的电源转换应用, 如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。 其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色, 适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

216

货期

现货

DMT6005LPS-13-HXY参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存216

DMT6005LPS-13-HXY概述

该N沟道场效应管具备60V的漏源电压(VDSS)和高达100A的连续漏极电流(ID), 导通电阻低至3.7mΩ。 优异的导通特性可有效降低大电流下的功率损耗, 提升系统整体能效。 器件适用于高功率密度的电源转换应用, 如高效直流-直流变换器、大功率电机驱动模块、储能系统中的开关控制以及高性能计算设备的供电管理。 其低电阻与高电流承载能力使其在需要频繁开关和持续负载的电路中表现出色, 适合对热性能和电气效率有较高要求的设计场景。

DMT6005LPS-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMT6005LPS-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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