DMT6004LPS-13-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。 低导通电阻有效减少了导通状态下的功率损耗， 配合高电流能力， 适用于对能效和热管理要求严苛的电源系统。 其电气特性支持高效能量转换， 在开关电源、电机控制及高密度功率模块等应用中可实现稳定可靠的性能表现。