DMT35M7LFV-7-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换及开关应用。 器件结构支持高电流承载能力， 在高频开关场景中表现出良好的动态特性， 适合用于各类高效能电子系统中的功率控制与管理环节。