DMT35M7LFV-13-HXY

该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻典型值为3.5mΩ， 在高电流工作条件下可有效降低功率损耗。 低RDON有助于减少发热， 提升能效， 适用于对热管理要求较高的电路设计。 器件采用成熟封装工艺， 具有良好的电气稳定性和耐用性， 适合应用于开关电源、电池供电设备、直流电机控制及大电流功率转换等场景， 满足高性能功率开关对效率与可靠性的需求。