DMT35M4LPSW-13-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧。 器件结构优化了导通与开关特性， 适用于对效率和热性能要求较高的中低压电源系统。 其低导通电阻有助于降低功率损耗， 提升整体能效， 适合用于高电流开关电路、直流-直流转换器及类似功率管理应用中。