DMT35M4LFVW-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT35M4LFVW-13-HXY
该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有效降低了导通损耗， 适用于对效率和热性能要求较高的中低电压开关电路。 典型应用包括高效电源转换、负载开关、电池管理系统及各类需要大电流处理能力的电子设备中的功率控制环节。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
DMT35M4LFVW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMT35M4LFVW-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有效降低了导通损耗， 适用于对效率和热性能要求较高的中低电压开关电路。 典型应用包括高效电源转换、负载开关、电池管理系统及各类需要大电流处理能力的电子设备中的功率控制环节。
DMT35M4LFVW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT35M4LFVW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。