DMT35M1LFVW-13-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统能效。 器件适用于高效率电源管理、同步整流、电机控制及高频开关电路等场合， 在紧凑型电子设备中可实现优异的热性能与电气性能平衡。 其参数特性支持在高电流密度下稳定运行， 满足对空间和效率敏感的设计需求。