DMT34M5LFVW-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMT34M5LFVW-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.5毫欧。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换及大电流开关场合， 能够支持快速开关操作并保持良好的电气稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
90
货期
现货
DMT34M5LFVW-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMT34M5LFVW-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.5毫欧。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换及大电流开关场合， 能够支持快速开关操作并保持良好的电气稳定性。
DMT34M5LFVW-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMT34M5LFVW-13-HXY应用领域
暂无应用领域。